首页> 中国专利> 一种水基流延成型高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法

一种水基流延成型高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种水基流延成型高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法(1)采用氧化铝磷酸二氢铝对氮化铝粉体进行表面改性;(2)称取改性后的氮化铝粉体、分散剂、增塑剂、粘结剂并混合均匀;(3)真空除泡;(4)生坯的制备,采用流延成型与冷等静压成型相结合工艺;(5)排胶,在180℃~460℃下保温2~3h;(6)氮气气氛下1600℃~1750℃烧结4~6h。本发明采用的溶剂为水,安全、绿色、环保,浆料的稳定性好,制得的陶瓷基板热导率高;工艺简单,且生产成本较低,可用于高功率密度电路、IGBT等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN112142474A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西华大学;

    申请/专利号CN202011036525.2

  • 发明设计人 李春宏;黄佳;康晓丽;崔旭东;

    申请日2020-09-28

  • 分类号C04B35/581(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/638(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构51241 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人苟铭

  • 地址 610039 四川省成都市金牛区金周路999号

  • 入库时间 2023-06-19 09:23:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/581 专利申请号:2020110365252 申请公布日:20201229

    发明专利申请公布后的视为撤回

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