一种高存储容量纳米电容三维集成结构及其制备方法

摘要

本发明公开一种高存储容量纳米电容三维集成结构及其制备方法。通过在硅片表面刻蚀出硅纳米结构并制备第一纳米电容，然后在第一纳米电容表面形成阳极氧化铝结构并制备第二纳米电容，通过将两个纳米电容并联连接，可以显著增大电容密度和能量密度。另外，能够增强纳米电容的电学可靠性，并且不会额外占用平面面积，有利于纳米电容器件尺寸缩小。