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氟掺杂的羟基氧化镍前驱体、氟掺杂的氧化镍及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了氟掺杂的羟基氧化镍前驱体、氟掺杂的氧化镍及其制备方法和应用,涉及电池材料技术领域。氟掺杂的羟基氧化镍前驱体的制备方法通过以镍源、氟化物和沉淀剂为原料进行水热反应,使氟离子吸附于材料上,形成含有F的前驱体羟基氧化镍前驱体。该前驱体呈多层堆叠的结构,且呈六棱柱状,可以通过煅烧制备具有更高赝电容效应和导电性能的氧化镍,该氟掺杂的氧化镍倍率性能和长循环性能获得明显的提升,可以在锂离子电池中得到应用,可以制备形成氧化镍电极材料。

著录项

  • 公开/公告号CN112110500A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 澳门大学;

    申请/专利号CN202011012376.6

  • 发明设计人 洪果;仲云雷;

    申请日2020-09-24

  • 分类号C01G53/04(20060101);H01M4/52(20100101);H01M10/0525(20100101);

  • 代理机构51258 成都超凡明远知识产权代理有限公司;

  • 代理人王晖;刘书芝

  • 地址 中国澳门氹仔大学大马路澳门大学

  • 入库时间 2023-06-19 09:16:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-13

    授权

    发明专利权授予

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