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一种提高水热法制备碳量子点荧光强度的制备方法

摘要

本发明公开了一种提高水热法制备碳量子点荧光强度的制备方法,具体地说,是在原有水热法制备生物质碳量子点的基础上,引入不同种类的酸及氮源,进而改性碳量子点提高其荧光强度。采用本发明的改性方法得到的碳量子点,与未改性的碳量子点相比,其荧光强度可提高4‑8倍。另外,此改性方法是仅在原水热法基础上直接加入改性剂改性,其制备方法简单高效。

著录项

  • 公开/公告号CN112094640A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津科技大学;

    申请/专利号CN202011011528.0

  • 申请日2020-09-23

  • 分类号C09K11/65(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人程小艳

  • 地址 300222 天津市河西区大沽南路138号

  • 入库时间 2023-06-19 09:15:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09K11/65 专利申请号:2020110115280 申请公布日:20201218

    发明专利申请公布后的视为撤回

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