首页> 中国专利> 一种DRAM内存时序配置方法和装置

一种DRAM内存时序配置方法和装置

摘要

本发明公开一种DRAM内存时序配置方法和装置,其中方法包括如下步骤:在DRAM内存的预设位置写入第一数据;开启DRAM内存的TDQS功能;在DRAM内存的所述预设位置的部分位写入第二数据,第二数据的位数据与第一数据的位数据不同;关闭DRAM内存的TDQS功能;从DRAM内存的所述预设位置读出数据,判断读出数据是否等于第二数据;如果等于第二数据,则DRAM内存的识别结果为第一DRAM;如果不等于第二数据,则DRAM内存的识别结果为第二DRAM;根据识别结果以及预存的时序表获取对应的时序,所述时序表存储有第一DRAM对应的时序和第二DRAM对应的时序;配置所述对应的时序到DRAM内存。本发明可以识别不同线宽的内存颗粒,可以配置对应时序,提高内存效率。

著录项

  • 公开/公告号CN112099733A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞芯微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202010873494.X

  • 发明设计人 何灿阳;

    申请日2020-08-26

  • 分类号G06F3/06(20060101);

  • 代理机构35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人徐剑兵;林祥翔

  • 地址 350003 福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

  • 入库时间 2023-06-19 09:13:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-13

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号