氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置

摘要

本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够将高结晶度的氧化膜在短时间内成膜。该氧化膜的成膜方法具有：在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。