偏置磁场控制方法、磁性薄膜沉积方法、腔室及设备

摘要

本发明提供一种偏置磁场控制方法、磁性薄膜沉积方法、腔室及设备，该控制方法包括以下步骤：S1，每间隔预设的第一靶材使用时长，使偏置磁场装置沿基座的周向旋转固定角度，直至靶材的总使用时长累积达到上限值；其中，偏置磁场装置每次旋转的方向相同。本发明提供的偏置磁场控制方法、磁性薄膜沉积方法、腔室及设备的技术方案，可以增加靶材的使用寿命，提高靶材利用率和薄膜厚度均匀性，从而降低工业成本。