首页> 中国专利> 集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法

集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法

摘要

本发明公开了集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法。一种集成电路设计方法包含:(a)接收至少一第一筛选参数;(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元(cell)延迟量信息,该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量;以及(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。

著录项

  • 公开/公告号CN112001135A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞昱半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201910610025.6

  • 发明设计人 黄思颖;余美俪;罗幼岚;高淑怡;

    申请日2019-07-08

  • 分类号G06F30/33(20200101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王红艳

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2023-06-19 09:01:25

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号