高纯稀土金属钪及钪溅射靶材的制备方法

摘要

本发明公开了一种高纯稀土金属钪及钪溅射靶材的制备方法。本发明将还原钪在真空碳管炉中进行多次分段蒸馏提纯，获得3N以上高纯稀土金属钪；将得到的高纯稀土金属钪采用真空悬浮熔炼，得到相应纯度的高纯稀土金属钪铸锭，然后将高纯稀土金属钪铸锭进行后处理，得到相应纯度的高纯稀土金属钪靶材。本发明能获得纯度3N以上的高纯稀土金属钪和钪溅射靶材，杂质含量可控制到：稀土杂质总含量＜10ppm，Li+Na+K总含量＜2ppm；靶材内部缺陷少，宏观凝固组织均匀，平均晶粒尺寸可以控制到130μm以下，甚至可控制到100μm以下，产品规格多样，满足集成电路等对于高端薄膜制备的性能要求。