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公开/公告号CN111962042A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 南京航空航天大学;
申请/专利号CN202010703213.6
发明设计人 管金凯;孙烁;刘荣兴;谢嘉瑞;黄钰;仁安;崔玥;徐锋;
申请日2020-07-21
分类号C23C16/27(20060101);C23C16/02(20060101);C23C16/56(20060101);
代理机构11777 北京艾皮专利代理有限公司;
代理人丁艳侠
地址 210000 江苏省南京市秦淮区御道街29号
入库时间 2023-06-19 08:58:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-02
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/27 专利申请号:2020107032136 申请公布日:20201120
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 利用脉冲激光诱导熔化和成核促进结晶的晶体取向可控的薄膜制备方法和系统
机译: 单晶CdTe表面激光诱导的有序岛状纳米结构的制备方法
机译: 三维有序多孔微结构及其制备方法的制备方法
机译:3C-SiC(100)表面金刚石沉积初始阶段的原位研究:金刚石成核机理的研究
机译:HFCVD金刚石薄膜成核和生长的原位光学技术和非原位原子力显微镜观察
机译:预处理偏压通过偏压成核和生长对超纳米晶金刚石膜成核和生长机理的影响:一种通过化学键映射法进行界面化学分析的方法
机译:原位激光诱导的具有高催化性能和感官特性的铜微结构合成
机译:类金刚石碳和金刚石成核的理论研究。
机译:细菌纤维素-电纺纳米纤维杂化结构的一种新的原位自组装制备方法
机译:用发射电子显微镜原位观察外延金刚石薄膜的成核和生长