多孔基质中的核自旋超极化

摘要

一种增强目标分子(10)的核自旋极化的方法，其使用与目标分子(10)共限域于多孔分子基质(20)中的超极化的源材料(12)。所述基质(20)可为具有适当直径的凹槽的D4R‑聚硅氧烷共聚物，例如polyoligosiloxysilicone 2号(PSS‑2)。将源材料(12)(如仲氢)与目标分子(10)一起转移至基质(20)，施用外部压力以迫使它们进入基质(20)的凹槽。将源材料(12)和目标分子(10)一起进行纳米限域，使自旋极化从源材料(12)到目标分子(10)的转移得以实现或增强。当从基质(20)移出目标分子(10)时，增强的自旋极化大大增强了目标分子(10)在任意后续磁共振测量中的信号强度。