公开/公告号CN111952377A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202010860333.7
申请日2020-08-24
分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/0224(20060101);H01L31/028(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0687(20120101);H01L31/0725(20120101);H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人刘歌
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 08:56:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-11-10
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0216 专利申请号:2020108603337 申请公布日:20201117
发明专利申请公布后的驳回
机译: 利用钙钛矿叠层制造半导体结构和器件的结构和方法
机译: 利用阳极氧化工艺及光陷获结构制造光陷获结构的方法
机译: 制备光稳定的钙钛矿的方法及所生产的钙钛矿