首页> 中国专利> 曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法

曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法

摘要

一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法,该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池;曲面陷光结构,设置在硅下电池上;载流子复合层,设置在曲面陷光结构上;钙钛矿上电池,设置在载流子复合层上;透明电极,设置在钙钛矿上电池上;以及金属电极,设置在透明电极上。本发明曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构,不容易导致薄膜中缺陷态的产生;曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜,因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。

著录项

  • 公开/公告号CN111952377A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202010860333.7

  • 申请日2020-08-24

  • 分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/0224(20060101);H01L31/028(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0687(20120101);H01L31/0725(20120101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人刘歌

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 08:56:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-11-10

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0216 专利申请号:2020108603337 申请公布日:20201117

    发明专利申请公布后的驳回

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号