基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法

摘要

本发明涉及一种基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法,包括以下步骤：步骤S1：选取ITO玻璃作为衬底，步骤S2：旋涂PEDOT：PSS溶液，形成薄膜；步骤S3：配置空穴传输层溶液，并旋涂于PEDOT：PSS的膜层之上，形成空穴传输层；步骤S4：制备银纳米颗粒，并使用正己烷溶解纳米颗粒，制备成银纳米颗粒的正己烷溶液；步骤S5：制备CdSe量子点与二氧化硅纳米颗粒的混合溶液，并在空穴传输层上旋涂混合溶液，形成CdSe量子点发光中心层；步骤S6：配置ZnO溶液，在量子点膜层之上旋涂该溶液，形成氧化锌的电子传输层；步骤S7：利用蒸镀技术，形成银电极，制备得出掺杂了银的CdSe量子点发光二极管。本发明能够有效提高量子点发光层的载流子浓度，提高其复合几率。