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公开/公告号CN111947777A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 广州大学;
申请/专利号CN202010809348.0
发明设计人 郭康贤;
申请日2020-08-12
分类号G01J1/44(20060101);G01N21/41(20060101);G01N21/59(20060101);H01L31/0203(20140101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郭浩辉;麦小婵
地址 510006 广东省广州市番禺广州大学城外环西路230号
入库时间 2023-06-19 08:56:41
机译: 砷化镓锑化镓(GaAsSb)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)具有降低的隧穿概率
机译: 砷化铟镓/砷化镓量子线的制造方法
机译: 局部改变磷化铟镓砷量子阱结构中有效带隙能的方法
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:高温量子点的InAs /砷化镓/的InGaAsP的具有约1.5微米,这是在基片上合成的波长的激光特性的磷化铟
机译:(001)硅衬底上的线结构中高度有序的水平砷化铟镓/磷化铟多量子阱结构
机译:基于磷化铟氧化物,磷化铟,砷化铟镓镓和锑化铟镓镓的光伏电池效率的提高
机译:砷化镓锑苷/铟砷化镓和砷化镓锑/铟磷化镓锑/磷化铟异质结构的MOCVD生长和光学性质
机译:硬金属中的钴和硫酸钴砷化镓磷化铟和五氧化二钒。
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。