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公开/公告号CN111952466A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010750325.7
发明设计人 钟建;刘泽宇;贾晓伟;刘洁尘;李娜;
申请日2020-07-30
分类号H01L51/50(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;
代理人杨保刚
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 08:56:41
机译: 制备基于锡的钙钛矿层的方法,用于纯化基于二卤化锡的材料,溶液,基于锡的钙钛矿层,发光材料和光电转换装置的方法
机译: 基于梯度退火和对映体协同效应的无机钙钛矿电池的制备方法及无机钙钛矿电池的制备
机译: 钙钛矿发光装置的发光层,其制造方法以及使用该钙钛矿发光装置的钙钛矿发光装置
机译:有机电致发光器件的材料研究及有机薄膜的制备方法
机译:Mn_3Ga(Ge,Si)N抗钙钛矿材料中的负热膨胀
机译:金属卤化物钙钛矿发光材料和器件
机译:钙钛矿纳米晶体中的量子约束效应改善了钙钛矿发光二极管的性能
机译:在磁挫折的mn基抗钙钛矿氮化物中,压磁效应作为负热膨胀的对应物
机译:从溶液中合成陶瓷:功能梯度复合材料,纳米复合材料和单晶薄膜。钙钛矿薄膜上钙钛矿薄膜的晶格错配