公开/公告号CN111952210A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新昇半导体科技有限公司;
申请/专利号CN201910402699.7
发明设计人 何昆哲;
申请日2019-05-15
分类号H01L21/67(20060101);H01L27/146(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人佟婷婷
地址 201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室
入库时间 2023-06-19 08:55:10
机译: 基于三晶体管的图像传感器,能够减少基于两个像素共享的三晶体管像素结构的晶体管的数量
机译: 堆叠图像传感器的像素结构及其制备方法
机译: 叠层图像传感器像素结构及制备方法