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拓扑场效应晶体管及其拓扑输运特性的调节方法

摘要

一种拓扑场效应晶体管及其拓扑输运特性的调节方法,该拓扑场效应晶体管包含拓扑半导体作为所述拓扑场效应晶体管的沟道材料。本发明提供的拓扑场效应晶体管及其拓扑输运特性的调节方法,充分利用拓扑半导体的拓扑输运特性和半导体属性相结合的特点,能够实现拓扑场效应晶体管的拓扑输运特性的打开和关闭以及拓扑输运特性的连续变化,原理简单,可调控性强,与现代电子工业兼容,具有实际可行性。

著录项

  • 公开/公告号CN111933793A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN202010866851.X

  • 发明设计人 曾长淦;张南;李林;

    申请日2020-08-25

  • 分类号H01L43/10(20060101);H01L43/06(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);H01L43/14(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人刘歌

  • 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

  • 入库时间 2023-06-19 08:53:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    授权

    发明专利权授予

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