少层二硒化铼场效应晶体管的电输运特性

摘要

我们通过使用光学对比度发现了单层ReSe2的光学对比度为6.46%.通过光学显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱和原子力显微镜来表征ReSe2样品的光学性质.此外,制备基于机械剥离的少层ReSe2的场效应晶体管（FET）并测试其输出和转移特性曲线研究其电输运特性.ReSe2场效应晶体管的载流子迁移率达到4.7cm^2/（V·s）,电流开关比为10^4,表现出n型特性.