高丹草宽窄行一穴双株膜上覆土栽培方法

摘要

本发明属于牧草栽培技术领域，提出了高丹草宽窄行一穴双株膜上覆土栽培方法，包括播种高丹草种子后覆膜，覆膜完成后进行膜上覆土，所述膜上覆土是在所覆膜上，以高丹草种子为中心，半径10cm内覆上2‑3cm的土层。通过上述技术方案，在保证产量和效益的同时，解决了现有技术中高丹草播种后一个月因气候干旱、少雨多风、地表蒸发大，导致耕层土壤水分散失严重、播种后保苗困难、出苗率低的问题。