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一种单层或少层石墨烯的超临界剥离工艺

摘要

一种单层或少层石墨烯的超临界剥离工艺,公开了一种超临界剥离单层或少层石墨烯的装置,包括干燥釜和喷嘴。采用超临界CO2为剥离剂,表面活性剂为分散剂,石墨粉和分散剂置于干燥釜内,再通入CO2,在超临界的状态下循环流动,之后经由喷嘴快速降压至7MPa。不同层数的石墨烯具有不同的导电能力,通过电场作用,5层以下的石墨烯进入干燥釜收集腔内,5层以上的石墨烯从通路离开干燥釜。重复上述过程,使物料经历多次升压降压,制备得到单层或少层的石墨烯。本工艺属于物理过程剥离,处理条件温和,不会破坏石墨烯的结构;该方法使用的CO2无毒、便宜易得,工艺简单,成本低廉,因此,该方法是具有实际应用前景的规模化生产单层或少层石墨烯的绿色工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN111908456A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胡勇刚;

    申请/专利号CN202010915577.0

  • 发明设计人 胡勇刚;

    申请日2020-09-03

  • 分类号C01B32/19(20170101);

  • 代理机构11638 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王新爱

  • 地址 510000 广东省广州市海珠区海富北街3号804房

  • 入库时间 2023-06-19 08:52:00

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