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公开/公告号CN111908456A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 胡勇刚;
申请/专利号CN202010915577.0
发明设计人 胡勇刚;
申请日2020-09-03
分类号C01B32/19(20170101);
代理机构11638 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王新爱
地址 510000 广东省广州市海珠区海富北街3号804房
入库时间 2023-06-19 08:52:00
机译: 制备单层或少层石墨烯片的电化学方法
机译: 任意衬底上的大面积单层和少层石墨烯
机译: 一种通过使用激光剥离工艺来制造包括具有电介质层的嵌入式薄膜电容器的印刷电路板的方法以及由其制造的包括嵌入式薄膜电容器的印刷电路板
机译:从石墨到石墨烯;石墨直接液相剥离产生单层和很少层的原始石墨烯
机译:在超临界N,N-二甲基甲酰胺中通过可膨胀石墨的剥离制备几层和单层石墨烯
机译:通过电化学和微波辅助剥离从石墨粉生产少层石墨烯片的比较研究
机译:通过没有超声处理的石墨插层化合物的剥离和其特性,通过剥离少层石墨烯
机译:单层和少层石墨烯自旋阀的制造和表征导致自旋弛豫长度以及自旋电压对载流子浓度的依赖性得到优化。
机译:丙酮蒸气对模板剥离金上单层和少层WS2激子带光致发光的影响
机译:单层剥离和少层黑磷的官能化及其对聚合物复合材料的应用
机译:在单层和少层石墨烯中观察多体效应:观察二维鞍点激子