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一种室温条件下提高光激发柔性基底气敏传感器响应的方法

摘要

本发明公开了一种室温条件下提高光激发柔性基底气敏传感器响应的方法,属于气体传感领域,具体涉及柔性气敏传感器制备领域,以解决以往敏感材料自身未被充分的利用的缺陷,包括如下步骤:(1)柔性基底层清洗并吹干;(2)将柔性基底层放入镀膜机中,利用电发射电子使氩气电离并轰击柔性基底层表面;(3)利用磁控溅射仪制备柔性基底层制备金属薄膜反射层;(4)镀有金属薄膜反射层的柔性基底层反复用去离子水清洗干净并吹干备用,在柔性基底层远离金属薄膜反射层的一侧依次制备叉指电极层和气敏薄膜层。该方法使敏感材料的上下表面都能够充分的与光接触,可以有效地增加气敏材料的表面光生电子浓度,提高光生电荷分离效率进而提高气敏性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111912882A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南民族大学;四川大学;

    申请/专利号CN202010612467.7

  • 申请日2020-06-30

  • 分类号G01N27/12(20060101);G01N27/04(20060101);

  • 代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人白小明

  • 地址 610041 四川省成都市武侯区一环路南四段16号

  • 入库时间 2023-06-19 08:50:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-05

    授权

    发明专利权授予

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