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公开/公告号CN111858131A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202010220558.6
发明设计人 J·B·卡恩;R·库尔森;S·斯里尼瓦桑;
申请日2020-03-25
分类号G06F11/10(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘瑜
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 08:42:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-13
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/10 专利申请号:2020102205586 申请日:20200325
实质审查的生效
机译: 在交叉点存储器中为行方向和列方向提供错误校正的技术
机译: 半导体存储器件在行/列中具有存储单元,在列方向上相邻位线触点之间的两条字线;每个位线触点在列方向上将两个相邻单元分开
机译: 半导体存储器及其数据处理方法,能够根据行和列的方向使用调制代码对数据进行编码
机译:高科技的行方向:Col Solare使用了五种行方向,以找到对晒伤提供最佳保护的方向
机译:喷雾方向和喷嘴在人造目标中的覆盖百分比,针对不同方向的目标方向和风向
机译:RC-NVM:支持行和列存储器访问的双地址非易失性存储器体系结构
机译:使用二维内核主成分分析的行和列方向中的手指静脉识别
机译:基于行的单视图方法,用于估计城市场景中的3D摄像机方向。
机译:针对具有嵌入式纠错的分子量子存储器
机译:数值方法在数学建模中的使用:针对151000“技术机器和设备”方向的专业课程和151000.62“技术机器和设备”方向的本科学习的学生的教科书
机译:随机动态规划的并行计算:行与列码的方向