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公开/公告号CN111868888A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 胜高股份有限公司;
申请/专利号CN201880091625.X
发明设计人 加藤宏和;山下崇史;
申请日2018-12-12
分类号H01L21/302(20060101);G01N33/00(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人童春媛;杨戬
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 08:42:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-22
授权
发明专利权授予
机译: 掺硼P型硅晶片中金属污染的评估方法,掺硼P型硅晶片中金属污染的评估装置以及制造掺硼P型硅晶片的方法
机译: 掺硼p型硅晶片中金属污染的评估方法,掺硼p型硅晶片中金属污染的评估装置以及制造掺硼p型硅晶片的方法
机译: 掺硼p型硅晶片的金属污染评估方法和评估装置以及掺硼p型硅晶片的制造方法
机译:p型硅线形成的电化学蚀刻与金属辅助化学蚀刻的组合方法
机译:基于GIS的天然重金属污染评价方法-处理残留量估算方法研究。
机译:通过金属硫化物前体溶液方法进行P型CuxS透明透明的P型Cuxs透明的制造及其在量子点薄膜中的应用
机译:通过燃烧API-MS方法研制硅晶片表面总有机污染物的评价方法
机译:通过抛光湿法蚀刻方法改善基于模板的碳纳米管阵列纳米成制造方法
机译:仅在高温下仅使用氧气进行硅蚀刻:在150 mm硅晶片上进行硅微加工的另一种方法
机译:新型TXRF方法检测硅晶片背面和边缘的金属污染
机译:用于表征硅IC制造中发现的痕量金属表面污染物的表面分析方法的评估