一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用

摘要

本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用，为研制高介电常数、低漏电流的介电层薄膜，本发明提供了一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，即将锆源和铈源溶于有机溶剂中，预先制备锆铈氧化物前驱体溶液，最后涂覆在衬底上进行热处理制得，所制备的铈掺杂的氧化锆薄膜表面平整、致密，电学性能好，应用于制备薄膜晶体管领域，具备较好的击穿特性，更低的漏电流密度。同时，本发明的铈掺杂的氧化锆薄膜晶体管结构简单，制备工艺简便,易于推广。