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公开/公告号CN111833937A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202010298931.X
发明设计人 N·J·迈尔;
申请日2020-04-16
分类号G11C11/406(20060101);G11C11/408(20060101);G11C8/20(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 08:39:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-06
授权
发明专利权授予
机译: 同步动态随机存取存储器在刷新模式期间有选择地为延迟锁定环电路供电,具体取决于基于模式寄存器设置命令的选择信号输出
机译: 数字系统中的同步动态随机存取存储器操作方法,包括在以自刷新模式将当前行更新为新行之前,完成所有存储单元阵列阵列中当前行的自动刷新操作。
机译: 多位动态随机存取存储器响应输入到模式寄存器的模式选择信号,用于个人计算机的二进制存储模式和多值存储模式之间切换
机译:基于自旋转移转矩磁阻随机存取存储器的高密度和超低功耗关联存储器,用于具有电流模式相似性评估和时域最小搜索的完全数据自适应最近邻居搜索
机译:用于多位电阻随机存取存储器的Pt / Zn0.99Zr0.01O / Pt结构中的双极和单极电阻切换模式
机译:铁电Sr_2(Ta_(1-x),Nb_x)_2O_7(STN)膜的13.56和100 MHz耦合模式Rf溅射应用于单晶体管型铁电随机存取存储器
机译:用于自转矩传递磁性随机存取存储器的高速电流模式读出放大器
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:用于回填电阻随机存取存储器阵列的耐久性增强的早期检测电路
机译:具有先前负脉冲写入方案的磁性随机存取存储器的切换模式切换的宽操作余量
机译:随机存取存储器的特性:Ram存储器表征中的策略,测试模式和参数以及对8个制造商的16 K Ram的评估