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中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体

摘要

一种中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体,能够防止射束整形体材料本身变形损坏,改善中子射源的通量与品质。本发明的中子捕获治疗系统,包括中子产生装置和射束整形体,中子产生装置包括加速器和靶材,加速器加速产生的带电粒子线与靶材作用产生中子,中子形成中子束,中子束限定一根主轴,射束整形体包括缓速体、反射体和辐射屏蔽体,射束整形体还包括容纳缓速体的框架。

著录项

  • 公开/公告号CN111821580A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中硼(厦门)医疗器械有限公司;

    申请/专利号CN201910308038.8

  • 发明设计人 陈韦霖;江涛;

    申请日2019-04-17

  • 分类号A61N5/10(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 361026 福建省厦门市海沧区翁角西路2036号

  • 入库时间 2023-06-19 08:39:31

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