一种3C-SiC薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种3C‑SiC薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。上述制备方法包括如下步骤：S1.选取石墨作为衬底；S2.选取金属催化剂和靶材，其中，金属催化剂为铜、银和金中的任意一种；所述靶材为Si靶；S3.使用金属催化剂和靶材在石墨上溅射沉积形成含有金属催化剂的Si膜；其中，金属催化剂的表面积与靶材的表面积比为0.02‑0.20；S4.将步骤S3得到的含有金属催化剂的Si膜进行真空热处理，即得到3C‑SiC薄膜。本发明工艺操作更为简便，形成的3C‑SiC薄膜结晶度高，在高温热处理下几乎未有薄膜皲裂发生，具有较好的质量。