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电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体逻辑转换器

摘要

本申请公开了电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体逻辑转换器。CML到CMOS信号转换系统(600)包括耦合到电阻器(R0)的CML/CMOS转换器(210),其还在参考节点(240)处耦合到电流补偿电路(220)。CML/CMOS转换器接收差分信号,并通过电阻器将第一或第二电流施加到参考节点。电流补偿电路包括差分晶体管对(410),其耦合到电流源、晶体管(QN2)以及第一电流镜(420)、第二电流镜(430)和第三电流镜(440)。差分晶体管对接收差分信号并具有输出端子对。第一电流镜耦合到输出端子。第三电流镜耦合到参考节点。第一电流镜和第三电流镜通过晶体管耦合在一起并吸收第一电流。第二电流镜耦合到输出端子和参考节点并且吸收第二电流。

著录项

  • 公开/公告号CN111800122A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;

    申请/专利号CN202010265681.X

  • 发明设计人 M·V·迪纳;

    申请日2020-04-07

  • 分类号H03K19/0175(20060101);H03K19/0185(20060101);H03K19/00(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵志刚

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2023-06-19 08:36:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/0175 专利申请号:202010265681X 申请日:20200407

    实质审查的生效

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