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一种测定微尺度装药爆轰波阵面曲率的MEMS压电式传感器

摘要

一种测定微尺度装药爆轰波阵面曲率的MEMS压电式传感器,包括基底,基底上溅射有下层输出电极及下层焊盘,下层输出电极与下层焊盘通过下层导线连接,构成下层输出层;下层输出层上旋涂并固化形成PVDF‑TrFE薄膜层,对PVDF‑TrFE薄膜层进行硅油浴极化,通过离子刻蚀得到PVDF‑TrFE敏感元件,构成PVDF‑TrFE压电层;PVDF‑TrFE压电层上溅射有上层输出电极及上层焊盘,上层输出电极与上层焊盘通过上层导线连接,构成上层输出层;下、上层输出电极采用上下轴向对齐的布置方式;下、上层焊盘采用由下层导线、上层导线连接并垂直的布置方式;上层输出层上涂覆有保护层;该传感器具有敏感元件尺寸小、精度高、多点采集等特点,适用于多种测试条件下微尺度装药爆轰波阵面曲率的测量。

著录项

  • 公开/公告号CN111780908A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202010635028.8

  • 申请日2020-07-04

  • 分类号G01L5/14(20060101);

  • 代理机构61215 西安智大知识产权代理事务所;

  • 代理人贺建斌

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 08:34:56

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