退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111774383A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 山东金信空调集团股份有限公司;
申请/专利号CN202010628661.4
发明设计人 吴子才;孙建中;周斌;刘桂涛;崔洁;
申请日2020-07-02
分类号B08B9/035(20060101);
代理机构
代理人
地址 253300 山东省德州市武城县鲁权屯镇开发区
入库时间 2023-06-19 08:34:56
机译: 具有增强型NMOS和凹陷型MOS的半导体集成电路器件,该凹陷型MOS具有N型沟道杂质区和在N型沟道杂质区下方的P型杂质层
机译: 具有N型沟道杂质区和P型杂质层的N型沟道杂质区下具有增强型NMOS和压陷型MOS的半导体集成电路器件
机译: 具有LDD结构的绝缘栅场效应晶体管及其制造方法,包括具有峰值杂质浓度的沟道截止,该沟道截止设置在沟道区下方
机译:GHP更新②:利用废热清洁现有管道,开发现有的制冷机油回收装置-洋马GHP“具有自清洁功能”更新机简介
机译:Si-N MOSFET载流子热速度的计算-沟道杂质浓度,反向散射系数和沟道Si膜厚度依赖性-
机译:精确反映沟道杂质分布的离散表面电势模型及其在超快速杂质浓度变化分析中的应用
机译:纺纱车间高架供气和侧向回风系统的空气分配模拟
机译:从界面陷阱处复合电流的线形中提取亚微米MOS晶体管中的沟道杂质浓度分布
机译:用多隔室建模的细胞内实验数据的集成预测海马OLM细胞中的H沟道密度和分布
机译:使用自清洁流体动力过滤器提高机械杂质产生的废水处理系统的效率
机译:TFTR内保险杠限制器区域碳杂质的侵蚀和迁移分析