公开/公告号CN111784592A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
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申请/专利权人 知昇(上海)人工智能科技有限公司;
申请/专利号CN202010423772.1
申请日2020-05-19
分类号G06T5/00(20060101);G06T5/20(20060101);G06T5/30(20060101);G06T7/13(20170101);G06N3/04(20060101);G06K9/62(20060101);
代理机构31288 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈酩
地址 201600 上海市松江区石湖荡镇石湖新路95号
入库时间 2023-06-19 08:33:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06T 5/00 专利申请号:2020104237721 申请公布日:20201016
发明专利申请公布后的驳回
机译: 制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译: gan单晶的生长方法,gan基体的制备方法,基于gan的元素的生产方法以及基于gan的元素
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面