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一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法

摘要

一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法,本发明涉及一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法。本发明的目的是解决现有金属阴极弧增强辉光放电制备DLC时金属元素对DLC的“污染”问题,本发明在石墨阴极弧与阳极之间构建放电通路,含碳气体在放电通路上通入,通入的含碳气体被石墨阴极弧发射出来的高密度电子离化,沉积在工件表面形成纯DLC。含碳等离子体中离子与原子的比例可以通过改变阴、阳极之间的放电模式以及调节放电参数来控制。本发明避免了金属靶增强辉光放电制备DLC时,金属掺杂对摩擦学性能的不良影响。本发明应用于等离子体增强化学气相沉积制备DLC领域。

著录项

  • 公开/公告号CN111748789A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202010663232.0

  • 发明设计人 田修波;胡健;巩春志;

    申请日2020-07-10

  • 分类号C23C16/26(20060101);C23C16/503(20060101);C23C16/515(20060101);C23C16/517(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/06(20060101);

  • 代理机构23213 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯静

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 08:31:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-24

    授权

    发明专利权授予

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