公开/公告号CN111755946A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;雄芯光电科技有限责任公司;
申请/专利号CN202010616598.2
申请日2020-06-30
分类号H01S5/12(20060101);H01S5/22(20060101);H01S5/042(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人孙蕾
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 08:30:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-20
著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/12 专利申请号:2020106165982 变更事项:发明人 变更前:徐长达陈伟班德超祝宁华 变更后:徐长达陈伟班德超祝宁华李明
著录事项变更
机译: 在同一衬底上具有单片形成的有源腔和无源腔的半导体激光器件
机译: 角膜腔波导和dfb激光的dfb二极管激光器的生产方法
机译: 激光腔具有包括微激光器腔的偏振无源级分27,以及制造该微激光器的方法