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红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的读出电路

摘要

本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的红外探测器读出电路,本发明通过在读出电路上涂覆光刻胶,并在读出电路的预设位置制备铟凸点,再去除光刻胶上的铟层,然后在铟凸点上重复镀铟、去除光刻胶上的铟层,直到得到预设高度的铟凸点,从而有效解决了现有技术中对小间距红外探测器铟凸点的制备高度不能满足要求的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111755572A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010585611.2

  • 发明设计人 谢珩;刘明;张敏;宁提;张鹏;谭振;

    申请日2020-06-24

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/02(20060101);H01L31/09(20060101);H01L31/101(20060101);

  • 代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人于金平

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

  • 入库时间 2023-06-19 08:30:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-28

    授权

    发明专利权授予

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