一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法

摘要

本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，包括如下步骤：将SiC晶片装好在放置装置的无蜡吸附垫上；在抛光垫上涂抹粒径为0.2～1.0μm金刚石抛光膏；将所述放置装置放置于抛光设备上，将所述抛光设备的磨抛压力设置为25～255g/cm2、抛光盘转速为30～60rpm，抛光头转速为10～55rpm；往所述抛光盘中加入1～20ml/min的液体对所述SiC晶片执行抛光操作，且每间隔20～60分钟补涂所述金刚石抛光膏；对SiC晶片进行清洗及检测，抛光完毕。本发明可以快速抛光碳化硅晶片表面，该方法还能使生产出的碳化硅晶片拥有低损伤层和低表面粗糙度。