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一种基于场路耦合的集成电路全波IBIS模型提取方法及装置

摘要

本申请实施例公开了一种基于场路耦合的集成电路全波IBIS模型提取方法及装置。所述方法将多层集成电路简化为二维模型,通过对多层集成电路版图的多边形进行对齐和简化处理,对直流电场模型,对简化的多层集成电路版图的多边形进行网格细分,对交变电磁场模型,对金属层‑介质形成的平行平板场域进行识别并进行网格细分,基于网格细分建立场域求解方程组,形成集成电路场域求解方程组的总体稀疏矩阵,然后对集成电路有源部分和无源部分进行场路耦合,计算多端口的电压/电流曲线,形成多端口IBIS模型。本申请能根据用户不同需求,设置IC封装网络的IBIS模型提取相关参数和仿真参数,具有IBIS模型的提取完整度高、提取效率高、仿真精确性高的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111737947A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京智芯仿真科技有限公司;

    申请/专利号CN202010783521.4

  • 申请日2020-08-06

  • 分类号G06F30/398(20200101);G06F30/367(20200101);G06F30/392(20200101);

  • 代理机构44453 深圳市行一知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人杨贤

  • 地址 100000 北京市海淀区信息路甲28号B座(二层)02B室-350号

  • 入库时间 2023-06-19 08:28:36

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