一种三台面结构的雪崩光电二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三台面结构的雪崩光电二极管及其制造方法，所述雪崩光电二极管包括自下而上设置的Fe‑InP衬底、InP缓冲层、P型InGaAsP接触层、第三台面、第二台面和第一台面；所述第三台面包括自下而上设置的P型InP腐蚀截止层、P型InGaAsP渐变层、P型InGaAs光吸收层、i型InGaAs光吸收层、P型AlGaInAs渐变层、P型InP电荷层和i型InAlAs倍增层；所述第二台面包括自下而上设置的N型InP电荷层和N型InP边缘电场缓冲层；所述第一台面包括N型InGaAs接触层。该雪崩光电二极管及其制造方法有利于提高雪崩光电二极管的可靠性和高速、高带宽性能。