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一种碳化硅包覆金刚石复合粉末的低温合成方法及应用

摘要

本发明涉及一种碳化硅包覆金刚石复合粉末的低温合成方法及应用。碳化硅包覆金刚石复合粉末是由铝粉、硅粉、金刚石颗粒机械混合后在温度不高于1000℃的条件下形成。其具体合成方法为:首先将铝粉、硅粉与金刚石颗粒均匀混合,放入真空管式炉中,在不高于1000℃的条件下,保温0.5‑3小时,通过快速降温即可在金刚石表面获得碳化硅包覆层,然后用NaOH溶液清洗掉未反应的铝粉、硅粉,经筛分便可得到碳化硅包覆金刚石复合粉末;将该方法获得的碳化硅包覆金刚石复合粉末应用于制备金刚石/铝基合材料,提高了复合材料的热导率,又抑制界面处碳化铝相的形成,提升了金刚石/铝复合材料在潮湿环境下的使役稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN111730054A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南大学;

    申请/专利号CN202010608297.5

  • 申请日2020-06-30

  • 分类号B22F1/02(20060101);B22F9/04(20060101);C22C1/05(20060101);C22C26/00(20060101);

  • 代理机构43113 长沙正奇专利事务所有限责任公司;

  • 代理人马强;胡凌云

  • 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路28号

  • 入库时间 2023-06-19 08:28:36

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