公开/公告号CN111740202A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;宜宾电子科技大学研究院;
申请/专利号CN202010527538.3
申请日2020-06-11
分类号H01P7/00(20060101);H01P7/06(20060101);H01P7/10(20060101);G01K5/04(20060101);G06F30/17(20200101);
代理机构51268 成都虹盛汇泉专利代理有限公司;
代理人王伟
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 08:27:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-29
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01P 7/00 专利申请号:2020105275383 申请公布日:20201002
发明专利申请公布后的驳回
机译: 实现高Q值和低插入损耗的薄膜本体声波谐振器的结构和制造过程
机译: 实现高Q值和低插入损耗的薄膜本体声波谐振器的结构和制造过程
机译: 实现高Q值和低插入损耗的薄膜本体声波谐振器的结构和制造过程