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公开/公告号CN111739960A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中山大学;
申请/专利号CN202010405250.9
发明设计人 江灏;宋志远;邱新嘉;
申请日2020-05-14
分类号H01L31/0304(20060101);H01L31/112(20060101);
代理机构44367 深圳市创富知识产权代理有限公司;
代理人吴族平
地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
入库时间 2023-06-19 08:27:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-26
授权
发明专利权授予
机译: 一种高增益异质结双极晶体管的制备方法
机译: 一种非常高增益异质结双极晶体管的制造方法
机译: 阵列型石墨烯 - 半导体异质结光电探测器及其制造方法
机译:PN-异质结控制的PVK / ZnO纳米粒子复合紫外光探测器的低暗电流,高电流增益
机译:基于GaN /β-GA2O3 PN异质结具有石墨烯的宽带紫外光探测器
机译:III-V型铋化物是一种用于电子设备的新型异质结材料系统。
机译:PN-异质结控制的PVK / ZnO纳米粒子复合紫外光电探测器的低暗电流高电流增益
机译:pN-异质结控制的低暗电流,高电流增益的pVK / ZnO纳米粒子复合材料紫外光电探测器
机译:异质结构单晶硅光伏电池:扩展。 a型,半导体异质结硅器件。最终报告,1978年5月15日 - 1978年8月10日