质量范围改进的离子俘获方案

摘要

本发明提供在离子俘获组件100、120中俘获离子的方法和控制离子俘获组件100、120中离子俘获的控制器130。本发明的一种方法包括向所述离子俘获组件100、120引入离子，向所述离子俘获组件100、120施加第一RF俘获振幅，从而俘获具有第一m/z比范围内m/z比的引入离子，并且冷却所述俘获的离子。该方法还包括将RF俘获振幅从第一RF俘获振幅降至较低的第二RF俘获振幅，从而降低所述离子俘获组件100、120的低质量截止值，并且在较低的第二RF俘获振幅，俘获具有第二m/z比范围内m/z比的引入离子。第二m/z比范围的质量下限值低于施加第一RF俘获振幅时所述离子俘获组件100、120的低质量截止值。保持所述离子俘获组件100、120中已俘获离子的总数低于作为第一和第二RF俘获振幅的函数测定的阈值。