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一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质

摘要

本发明提供一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质,所述方法包括:预先设置放肩过程不同阶段的晶体生长角度设定值和所述放肩过程不同阶段的晶体生长工艺参数的设定值;获得所述放肩过程不同阶段的晶体直径,并计算获得晶体直径的变化值和晶体长度的变化值,并利用所述晶体直径的变化值与所述晶体长度的变化值之间的比值计算晶体生长角度值;将所述晶体生长角度值与所述晶体生长角度设定值进行比较,得到差值,并将所述差值作为PID算法的输入变量;通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值,作为PID算法的输出变量;将所述晶体生长工艺参数的调节值和所述晶体生长工艺参数的设定值相加,得到实际长晶过程的工艺参数。

著录项

  • 公开/公告号CN111690980A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新昇半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201910181545.X

  • 发明设计人 邓先亮;

    申请日2019-03-11

  • 分类号C30B15/22(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11336 北京市磐华律师事务所;

  • 代理人董巍;高伟

  • 地址 201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号

  • 入库时间 2023-06-19 08:20:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/22 专利申请号:201910181545X 申请公布日:20200922

    发明专利申请公布后的驳回

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