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公开/公告号CN111653306A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;
申请/专利号CN202010646693.7
发明设计人 刘胜;鲁建壮;王丹宁;李振涛;张洋;刘畅;李晨;
申请日2020-07-07
分类号G11C29/42(20060101);G11C11/413(20060101);
代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人周长清
地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
入库时间 2023-06-19 08:16:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-26
授权
发明专利权授予
机译: 可配置的伪双端口体系结构,用于单端口SRAM
机译: 使用8T高性能单端口BIT单元的高性能两端口SRAM体系结构
机译:用于兆位级集成的电流检测SRAM技术-通过使用隐藏的写恢复体系结构来提高工作频率
机译:用于纳米级CMOS技术的单事件多重容错SRAM单元设计
机译:2D投影图像(TBS)的灰度级变化与3D微体系结构之间的相关性:在人类小梁骨微体系结构研究中的应用。
机译:英特尔微体系结构上的WRF单矩6级微物理方案(WSM6)的优化策略
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:葫芦n uril基微胶囊自组装内微流液滴:一种通用的方法。用于超分子体系结构和材料
机译:适用于多端口SRAM群集的可编程BIST体系结构
机译:具有紫外级熔融石英,蓝宝石和氟化镁窗口的数字微镜器件(DmD)的光学评估和裸装置的长期反射。