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用于单端口SRAM的微体系结构级通用加固装置

摘要

本发明公开了一种用于单端口SRAM的微体系结构级通用加固装置,其包括:前台处理单元,用于处理前台请求;后台处理单元,包含一个后台处理缓冲用于暂存纠正错误后的数据和对应地址、小粒度写的数据和原位置数据相叠加后的数据以及对应地址;刷新处理单元,用于支持周期刷新和初始刷新,内含定时逻辑和刷新读请求发出逻辑;数据一致性处理单元,用于对出现的数据相关性进行处理,避免数据不一致;编解码逻辑,用于对输入SRAM的数据进行编码,对从SRAM读出的数据进行解码,并对错误的数据进行检测和纠正。本发明具有操作简单、可配置能力强、支持后台缓冲等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111653306A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN202010646693.7

  • 申请日2020-07-07

  • 分类号G11C29/42(20060101);G11C11/413(20060101);

  • 代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);

  • 代理人周长清

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号

  • 入库时间 2023-06-19 08:16:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-26

    授权

    发明专利权授予

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