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一种V波段CMOS功率放大器

摘要

本发明属于毫米波通信技术领域,具体提供一种V波段CMOS功率放大器,用以解决现有技术电路结构复杂、芯片面积大以及放大器匹配电路设计难度大等问题。本发明包括依次连接的输入匹配电路、第一级放大电路、级间匹配电路、第二级放大电路与输出匹配电路,两级放大电路分别采用堆叠晶体管M1(或M3)和M2(或M4)构成;本发明晶体管堆叠的方式结构简单,能够有效降低晶体管的击穿风险,并获得最佳的功放饱和输出功率;同时,晶体管堆叠结构能够大大提高毫米波功率放大电路的稳定性;另外,接地共面波导形式的输入、输出匹配电路,在毫米波频段实现堆叠晶体管的良好输入和输出匹配的同时能够进一步提升毫米波放大器的增益和输出功率。

著录项

  • 公开/公告号CN111628738A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010429967.7

  • 发明设计人 杨自强;行苗;杨涛;

    申请日2020-05-20

  • 分类号H03F3/20(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人甘茂

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 08:09:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-11

    授权

    发明专利权授予

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