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公开/公告号CN111628738A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010429967.7
发明设计人 杨自强;行苗;杨涛;
申请日2020-05-20
分类号H03F3/20(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 08:09:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-11
授权
发明专利权授予
机译: 全差分输出CMOS功率放大器(全差分输出CMOS功率放大器)
机译: 使用可切换匹配网络的C- CMOS C波段CMOS双向放大器
机译: 能够防止过大电压损坏CMOS功率放大器中栅极氧化物膜损坏的CMOS(互补金属氧化物半导体)保护电路
机译:一种V波段功率放大器,采用65nm CMOS技术,具有23.7dBm的输出功率,22.1%的PAE和29.7dB的增益
机译:一种宽带V波段功率放大器,在65 nm CMOS中使用减小的访问电阻晶体管布局
机译:具有高PAE的可重构K波段/ Ka波段功率放大器,采用0.18- <公式Formulatype =“ inline”> src =“ / images / tex / 241.gif” alt =“ mu”> formula> m SiGe用于多频带应用的BiCMOS
机译:一种使用电流组合技术的X波段全集成的CMOS功率放大器
机译:集成CMOS功率放大器和高效F类氮化镓功率放大器的线性化技术。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:A 25.1 DBM 25.9-DB增益25.4%PAE X波段功率放大器利用65-NM CMOS中的电压组合变压器
机译:一种集成脉冲调制s波段功率放大器的氮化镓工艺设计与分析。