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公开/公告号CN111988031A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202010889956.7
发明设计人 李祎;李健聪;缪向水;
申请日2020-08-28
分类号H03K19/17704(20200101);G06F17/16(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 08:06:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-20
授权
发明专利权授予
机译: 忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
机译: 忆阻材料的形成方法及具有忆阻作用的电极结构
机译:关于忆阻,忆阻和忆磁系统的物理性质
机译:时滞忆阻神经网络准同步的非周期性间歇控制:区间矩阵与矩阵测度的组合方法
机译:Al / MnO 2 Subscript> / SS薄膜金属-绝缘体-金属器件中的丝状和均质电阻开关与忆阻和忆阻记忆效应共存
机译:一种自动调整忆阻设备忆阻能力的方法
机译:忆阻网络中的集体现象:工程阶段过渡到计算阶段
机译:忆阻随机可塑性可模仿神经同步性:忆阻电路可模拟光学错觉
机译:单片互补金属氧化物 - 氧化物半导体 - 忆内函数集成电路中的内存矢量 - 矩阵乘法:设计选择,挑战和观点
机译:具有忆阻横杆电路的模式分类。