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半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法

摘要

本发明提供一种半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法,半导体设备包括:静电吸盘,用于吸附晶圆;光源,用于将发射的光线照射于吸附在静电吸盘上的晶圆上,以增大晶圆内载流子的浓度,从而增大静电吸盘对所述晶圆的吸附力。本发明的半导体设备通过设置光源对吸附于静电吸盘上的晶圆进行照射,可以增大晶圆内部的载流子浓度,从而增大静电吸盘与晶圆接触的吸附点的电流,从而增大静电吸盘对晶圆的吸附力。

著录项

  • 公开/公告号CN111987030A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯恩(青岛)集成电路有限公司;

    申请/专利号CN201910426711.8

  • 发明设计人 贾超超;刘佑铭;

    申请日2019-05-22

  • 分类号H01L21/683(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人史治法

  • 地址 266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

  • 入库时间 2023-06-19 08:06:35

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