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非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端

摘要

本发明公开了一种非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端,接收NOR FLASH进行读操作的指令并判断NOR FLASH是否进入读操作状态,根据判断结果得出控制指令;根据所述控制指令控制是否关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号;通过对SPI接口模块进行有针对性的功能划分,将数据输出逻辑划分在一个子模块内,此模块的时钟和数据流正常工作;而其他子模块的电路由于并不参与读操作的过程,则将其输入信号做逻辑控制门处理,这些模块的输入信号将会被完全关断,这样就会完全消除了这几个模块的动态电流,也就降低了整个芯片在读操作状态下的总电流。

著录项

  • 公开/公告号CN112071352A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市芯天下技术有限公司;

    申请/专利号CN202011279293.3

  • 发明设计人 冯鹏亮;陈维荣;陈慧;王文静;

    申请日2020-11-16

  • 分类号G11C16/26(20060101);

  • 代理机构44377 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈志超;唐敏珊

  • 地址 518000 广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇第10栋1楼

  • 入库时间 2023-06-19 08:06:35

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