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基于远场平面扫描的毫米波辐射器近场辐射剂量测量方法

摘要

一种基于远场平面扫描的毫米波辐射器近场辐射剂量测量方法,主要解决现有毫米波辐射器近场辐射剂量测量的精度低和效率低的问题。本发明测量并计算位于远场的扫描平面上的电场复振幅的分布,通过傅里叶逆变换,将远场的电场复振幅变换为平面波谱,将近场剂量空间分解为各个近场平面,通过傅里叶变换,将平面波谱变换为各个近场平面上的电场复振幅和磁场复振幅,并计算出功率流密度。本发明方法通过在位于远场的扫描平面上测量功率,并由此计算出毫米波辐射器的近场辐射剂量,和现有的直接测量方法相比,本发明在测量精度和测量效率方面均有所提高。

著录项

  • 公开/公告号CN111896816A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202010793596.0

  • 发明设计人 赵建勋;张旭;但佳雄;李帅;

    申请日2020-08-10

  • 分类号G01R29/14(20060101);G01R29/08(20060101);G01R33/02(20060101);G01R33/10(20060101);G01R21/00(20060101);

  • 代理机构61205 陕西电子工业专利中心;

  • 代理人田文英;王品华

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 08:00:20

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