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公开/公告号CN111899784A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 广东工业大学;
申请/专利号CN202010789046.1
发明设计人 韩国军;黄三维;朱广平;方毅;
申请日2020-08-07
分类号G11C29/50(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人郭帅
地址 510060 广东省广州市越秀区东风东路729号大院
入库时间 2023-06-19 08:00:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-12
授权
发明专利权授予
机译: NAND闪存器件中阈值电压的测量方法
机译: 非易失性存储设备闪存设备,一种编程方法,包括基于对存储单元的阈值电压分布的评估来确定数据是否被正确地编程到一组存储单元中
机译: 用于改进电可编程只读存储器阵列中的编程阈值电压分布的方法和装置
机译:机器学习方法预测3D NAND闪存中读取干扰的阈值电压分布
机译:3D NAND闪存中阈值电压分布温度依赖性的研究
机译:氢对NAND闪存中已编程的阈值电压分布的影响
机译:3D NAND闪存中阈值电压分布的建模
机译:一种新型的基于传导加热的复合材料应力热循环装置的设计及其在表征复合材料微裂纹损伤阈值中的应用。
机译:在沙特阿拉伯Al Zulfi City的新型无源采样装置建立阈值暴露水平的新型无源抽样装置在沙尘暴灰尘和室内环境中评估空气中的内毒素。
机译:MLC NAND闪存中的阈值电压分布:表征,分析和建模
机译:阻抗阈值装置(ITD-7):一种新型装备,用于在低血压自发呼吸战士中加强伤员护理以增加血液循环和血压。