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一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质

摘要

本发明公开的一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质和计算机设备,对数据处理流程进行了改进,使每个存储单元的模板状态、变化前、变化后的单元状态都能够获得,从而能够得到所有单元状态在相应编程状态下的阈值电压分布;另外,针对编程状态的阈值电压宽度非规则的情况和参考电压正向偏移扫过的阈值电压区间会发生重叠的情况,本发明将得到的第一阈值电压分布图中相邻单元状态之间的重叠区域进行移除,最终得到的第二阈值电压分布图能够更加清楚、详细地描述目标NAND闪存的阈值电压分布,还能够根据第一阈值电压分布图和第二阈值电压分布图分别对每个参考电压扫描过的对应状态的阈值电压宽度所需的最大偏移步长进行计算。

著录项

  • 公开/公告号CN111899784A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东工业大学;

    申请/专利号CN202010789046.1

  • 发明设计人 韩国军;黄三维;朱广平;方毅;

    申请日2020-08-07

  • 分类号G11C29/50(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭帅

  • 地址 510060 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

  • 入库时间 2023-06-19 08:00:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-12

    授权

    发明专利权授予

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