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一种硅基底薄膜的制备方法

摘要

本发明提供一种硅基底薄膜的制备方法,在硅基底上涂布光刻胶,在涂胶面预先开槽,控制槽的深度和宽度,并利用酸溶液进行平整化处理,待硅基底毛边处理干净之后去胶、清洗、烘干、镀膜,再用薄金刚石刀片,沿着预开槽的中心线将硅基底完全切开,获得完整的硅基底薄膜,边缘无破损。

著录项

  • 公开/公告号CN111892013A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳清华大学研究院;清华大学;

    申请/专利号CN202010596546.3

  • 发明设计人 郑泉水;柏帆;

    申请日2020-06-28

  • 分类号B81B5/00(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构44271 深圳市惠邦知识产权代理事务所;

  • 代理人满群

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区科技园高新南七道深圳清华大学研究院

  • 入库时间 2023-06-19 07:57:16

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